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Validación experimental del modelo de circuito equivalente de pequeña señal para transistores FinFET de tres compuertas

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dc.contributor.author Hernández Román, Mario Alberto
dc.date.accessioned 2015-04-17T19:24:41Z
dc.date.available 2015-04-17T19:24:41Z
dc.date.issued 2014
dc.identifier.uri http://132.248.52.100:8080/xmlui/handle/132.248.52.100/7120
dc.description.abstract Transistor, radiofrecuncia, frecuencia de corte, frecuencia de maxima oscilacion, finFet, parametros de pequeña señal, MOSFET. es_ES
dc.language.iso es es_ES
dc.subject Transistor, radiofrecuncia, frecuencia de corte, frecuencia de maxima oscilacion, finFet, parametros de pequeña señal, MOSFET. es_ES
dc.title Validación experimental del modelo de circuito equivalente de pequeña señal para transistores FinFET de tres compuertas es_ES
dc.type Tesis es_ES
dc.director.trabajoescrito Tinoco Magaña, Julio César
dc.carrera.ingenieria Maestría en Ingeniería Eléctrica es_ES


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Nombre: Tesis.pdf
Tamaño: 6.576Mb
Formato: PDF
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